2018 马上过去,给大家拜个早年啦。祝大家新的一年里事事顺心,早日成为技术大咖。这一年里,陆续看到一些朋友不再从事 Android 漏洞方面的工作,笔者也已在年初弃坑,不禁感慨 Android 平台的漏洞研究可能只属于那些 geeker 了。
2018 年 blackhat asia
会议上,阿里巴巴的安全研究员 ThomasKing
做了 Android Root
方面的主题演讲,题为《KSMA-Breaking-Android-kernel-isolation-and-Rooting-with-ARM-MMU-features》
。笔者对这样的通用 Root 方式是比较感兴趣的,便着手复现了一下。
ThomasKing 为这种通用 root 方式起了个不错的名字 KSMA(Kernel Space Mirroring Attack)
,意为内核空间镜像攻击。简单的说,在内核的一级页表中伪造一个 d_block
类型的 descriptor
(内存描述符),将内核镜像所在的 PA
(物理地址) 映射到 descriptor 所对应的 VA
(虚拟地址) 处。通过修改 d_block
中的一些内存属性,就可以做到对 VA 处映射的内核镜像做读写操作,从而可以任意修改内核代码。
linux 内核采用分页机制管理 VA,并使用 MMU
(内存管理单元) 完成 VA 到 PA 的转换。page (内存页) 大小一般为 4KB 16KB 或者 64 KB,为了更有效率的管理 page,内核使用 page table(页表)来组织所有page。页表是分级的,pc 系统一般使用4级页表,现阶段 android 系统采用3级页表,页大小 4KB。以下均以 4KB 3级页表作为讨论基础。
下面图表搭配着看比较好理解一些,下图位于 armv8 手册 D4-1744
处,下表位于内核 Documentation/arm64/memory.txt
处。
对于3级页表,Level 0 table 并未采用,通过 Level 1 table 可以获取 Level 2 table 的内存位置,通过 Level 2 table 可以获取 Level 3 table 的内存位置,Level 3 table 又可以获取具体 page 所在的内存位置。
比如 0xffffffc000080030 这个 VA 按照上述翻译表的计算方式,可获知
ttbr1 表明这是一个内核地址,poffseet 表明内存在页内偏移为 0x30,L0页表没采用,数值没意义,是一级页表(pgd)的第 0x100 项,二级页表(pmd)的第0项,三级页表(pte)的第0x80项。
需要说明的是内核与用户态进程使用的不是同一份页表,内核拥有自己单独的页表,内核线程共享,用户态进程分别拥有自己的页表。
内核页表在内核初始化时静态创建,如下 init_mm
。pgd 指向 swapper_pg_dir
,在没有 KASLR 的情况下,该全局变量是一个固定值 0xffffffc00007d000
,所以内核一级页表位于固定内存位置
用户程序页表是在创建用户态程序时动态分配在内核堆中,这一点,可以从 execve
的内核实现中看出,调用关系如下:
一级页表有两种描述符(64bit),table
类型和 block
类型,如下图所示,block
类型指向指定的 1GB
内存区域,table
类型描述下一级页表的起始地址。对于伪造页表攻击,我们关心的是一级页表中 block 类型的页表
项。
关键在于要理解 d_block 描述符各 bit 意义,各 bit 详情参见 arm 手册,D4-1796
,需要说明 AP[2:1]
和 output address
:
理解上述页表的过程,伪造 d_block
页表就很简单了,前提是拥有至少一次内核地址写操作。所以,这种利用方法需要搭配某些地址写的漏洞使用。
拥有一次写地址权限后,在特定位置上写上 d_block 即可。
特定位置也就是伪造的 d_block 描述符应该在内存什么位置。该内存位置是可以计算出来的。内核 VA 中有很多的地址空间是没有被使用的,准确的说,没有被映射过。这些内存空洞就可以用来重新映射内核镜像 PA。不考虑 KASLR 的情形,内核镜像加载的起始地址一般为 0xffffffc000000000,镜像大小 1Gb
(0x40000000 Byte) 左右。0xffffffc200000000 开始的区域通常为内存空洞区域,我们可以将该地址开始的 1Gb 空间,作为再次映射内核 PA 的 VA。当然也是可以采用其他区域的,比如 0xffffffc300000000 开始的 VA,这里以 0xffffffc200000000 作为示例
计算 0xffffffc200000000(vaddr) 对应的一级页表 d_block 描述符位置的过程如下:
确定好位置后,按照上述 d_block
各 bit 意义构造好fake_d_block
,用地址写漏洞写入指定位置。
之后,内核 PA 就会被映射到 vaddr 处,直接使用指针操作 vaddr 内存即可。
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